г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC0902NSATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC0902NSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON, N-Channel 30 V 24A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Цена
207 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC0902NSATMA1.jpg
Other Names
BSC0902NSCT-ND,BSC0902NSATMA1TR,BSC0902NSTR-ND,IFEINFBSC0902NSATMA1,BSC0902NS,BSC0902NSDKR-ND,BSC0902NSCT,SP000800246,BSC0902NSATMA1DKR,BSC0902NSTR,BSC0902NSDKR,BSC0902NSATMA1CT,2156-BSC0902NSATMA1
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 48W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC0902
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC061N08NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 82A TDSON, N-Channel 80 V 82A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: IRG7PH42U-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 90A 385W TO247AD, IGBT Trench 1200 V 90 A 385 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IRL540NSTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK, N-Channel 100 V 36A (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BCR191
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRF1018EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB, N-Channel 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSL316CH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A TSOP, Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 1.4A, 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
Подробнее