г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC0904NSIATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC0904NSIATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON, N-Channel 30 V 20A (Ta), 78A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Цена
157 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC0904NSIATMA1.jpg
Other Names
BSC0904NSIATMA1CT,BSC0904NSIDKR,BSC0904NSITR-ND,BSC0904NSIATMA1TR,BSC0904NSIATMA1DKR,BSC0904NSIDKR-ND,BSC0904NSI-ND,BSC0904NSICT-ND,BSC0904NSICT,BSC0904NSI,SP000854384
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 37W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC0904
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFU9024NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK, P-Channel 55 V 11A (Tc) 38W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IKW75N65EH5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3, IGBT Trench 650 V 90 A 395 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IPP020N08N5AKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3, N-Channel 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRFB3006GPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB, N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPB117N20NFDATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3, N-Channel 200 V 84A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IRF5305PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB, P-Channel 55 V 31A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее