г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC265N10LSFGATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC265N10LSFGATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON, N-Channel 100 V 6.5A (Ta), 40A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Цена
214 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC265N10LSFGATMA1.jpg
Other Names
SP000379618,BSC265N10LSFGATMA1TR,BSC265N10LSFGATMA1CT,BSC265N10LSFGATMA1DKR,BSC265N10LSF G-ND,BSC265N10LSF G
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
78W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 43µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 50 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC265
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFB3006GPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB, N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF3707ZLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 59A TO262, N-Channel 30 V 59A (Tc) 57W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IPB009N03LGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7, N-Channel 30 V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Подробнее
Артикул: BSZ034N04LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON, N-Channel 40 V 19A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Подробнее
Артикул: BC858CE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 250MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRG4PC30FPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 31A 100W TO247AC, IGBT - 600 V 31 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее