г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSD214SNH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSD214SNH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6, N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-6
Цена
16 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSD214SNH6327XTSA1.jpg
Other Names
INFINFBSD214SNH6327XTSA1,BSD214SN H6327-ND,2156-BSD214SNH6327XTSA1,SP000917656,BSD214SN H6327
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
500mW (Ta)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 3.7µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
143 pF @ 10 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Base Product Number
BSD214
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
PG-SOT363-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
3,000
Vgs (Max)
±12V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC019N04LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON, N-Channel 40 V 27A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: BSC190N12NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON, N-Channel 120 V 8.6A (Ta), 44A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: IKCM30F60GDXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IFPS MODULE 600V 30A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 30 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IRGP4263DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 90A 325W TO-247, IGBT - 650 V 90 A 325 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFSL4115PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 195A TO262, N-Channel 150 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IPA60R600P7SXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 6A TO220, N-Channel 600 V 6A (Tc) 21W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее