г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSD214SNH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSD214SNH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6, N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-6
Цена
16 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSD214SNH6327XTSA1.jpg
Other Names
INFINFBSD214SNH6327XTSA1,BSD214SN H6327-ND,2156-BSD214SNH6327XTSA1,SP000917656,BSD214SN H6327
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
500mW (Ta)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 3.7µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
143 pF @ 10 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Base Product Number
BSD214
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
PG-SOT363-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
3,000
Vgs (Max)
±12V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLMS6802TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 5.6A MICRO6, P-Channel 20 V 5.6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее
Артикул: IRGPS40B120UDP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 80A 595W SUPER247, IGBT NPT 1200 V 80 A 595 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: IRG7PK35UD1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1400V 40A 167W TO247AC, IGBT - 1400 V 40 A 167 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IPA65R600C6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRFP3206PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC, N-Channel 60 V 120A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRLML9303TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23, P-Channel 30 V 2.3A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее