г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM100GB120DN2K Infineon Technologies

Артикул
BSM100GB120DN2K
Бренд
Infineon Technologies
Описание
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT
Цена
15 098 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-BSM100GB120DN2K,INFINFBSM100GB120DN2K
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFI4905
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 41A TO220AB FP, P-Channel 55 V 41A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: IGCM04F60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MODULE IGBT 600V 4A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 4 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IRLMS6702TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP, P-Channel 20 V 2.4A (Ta) Surface Mount Micro6™(SOT23-6)
Подробнее
Артикул: BC817-16
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 45V 800MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IRFH8318TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN, N-Channel 30 V 27A (Ta), 120A (Tc) 3.6W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: IRF7834
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 19A 8SO, N-Channel 30 V 19A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее

Ваша заявка принята