г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM100GB120DN2K Infineon Technologies

Артикул
BSM100GB120DN2K
Бренд
Infineon Technologies
Описание
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT
Цена
15 098 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-BSM100GB120DN2K,INFINFBSM100GB120DN2K
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPA086N10N3 G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: OPTLMOS 3 POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRLR3110ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK, N-Channel 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRF5210SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK, P-Channel 100 V 38A (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: AUIRG4BC30U-S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 23A 100W D2PAK, IGBT - 600 V 23 A 100 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF540NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB, N-Channel 100 V 33A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG4IBC20KD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP, IGBT - 600 V 11.5 A 34 W Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее

Ваша заявка принята