г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM100GB120DN2K Infineon Technologies

Артикул
BSM100GB120DN2K
Бренд
Infineon Technologies
Описание
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT
Цена
15 098 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-BSM100GB120DN2K,INFINFBSM100GB120DN2K
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7201
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO, N-Channel 30 V 7.3A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: AUIRFZ44N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB, N-Channel 55 V 49A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG4PC50UD-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRG4PC50 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: IPD50P04P413ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3, P-Channel 40 V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее
Артикул: IRFS4127PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK, N-Channel 200 V 72A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BAR6702VH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SC79-2, RF Diode PIN - Single 150V 200 mA 250 mW PG-SC79-2
Подробнее

Ваша заявка принята