г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM100GB120DN2K Infineon Technologies

Артикул
BSM100GB120DN2K
Бренд
Infineon Technologies
Описание
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT
Цена
15 098 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-BSM100GB120DN2K,INFINFBSM100GB120DN2K
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLS3034TRL7PP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK, N-Channel 40 V 240A (Tc) 380W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: SPP17N80C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER_LEGACY, N-Channel 800 V 17A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: FF600R12ME4CBOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 1060A 4050W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 1060 A 4050 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BFN18H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANSISTOR AF SOT89-4, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 200 mA 70MHz 1.5 W Surface Mount PG-SOT89
Подробнее
Артикул: IRF7351TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFP3206PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC, N-Channel 60 V 120A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее

Ваша заявка принята