г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM100GB120DN2K Infineon Technologies

Артикул
BSM100GB120DN2K
Бренд
Infineon Technologies
Описание
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT
Цена
15 098 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-BSM100GB120DN2K,INFINFBSM100GB120DN2K
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IDH10G65C6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 24A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 24A (DC) Through Hole PG-TO220-2
Подробнее
Артикул: BCR191
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRF3000
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 300V 1.6A 8SO, N-Channel 300 V 1.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFP4229PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 44A TO247AC, N-Channel 250 V 44A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: AUIRFS4010
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK, N-Channel 100 V 180A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IPW60R125P6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3, N-Channel 600 V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее

Ваша заявка принята