г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM100GB120DN2K Infineon Technologies

Артикул
BSM100GB120DN2K
Бренд
Infineon Technologies
Описание
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT
Цена
15 098 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-BSM100GB120DN2K,INFINFBSM100GB120DN2K
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4BC30F
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 31A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 31 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF7820PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO, N-Channel 200 V 3.7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFB4310PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB, N-Channel 100 V 130A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRLBA3803P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220, N-Channel 30 V 179A (Tc) 270W (Tc) Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
Подробнее
Артикул: IKW40N65H5
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3,
Подробнее
Артикул: IRAM256-2067A2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HY 600V 20A 29PWRSSIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 20 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее

Ваша заявка принята