г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM10GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM10GD120DN2BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-1, IGBT Module
Цена
12 649 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
-
Base Product Number
BSM10GD120
Standard Package
10
HTSUS
0000.00.0000
REACH Status
REACH Unaffected
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Not For New Designs
Package
Tray
Other Names
BSM10GD120DN2,SP000100367

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLML5203TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23, P-Channel 30 V 3A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее
Артикул: IRLZ44NSTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK, N-Channel 55 V 47A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFP150N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC, N-Channel 100 V 42A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF60R217
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 58A DPAK, N-Channel 60 V 58A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Подробнее
Артикул: IRGP4790PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V TO-247, IGBT - 650 V 140 A 455 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IKW40N65F5FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3, IGBT - 650 V 74 A 255 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее