г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM10GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM10GD120DN2BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-1, IGBT Module
Цена
12 649 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
-
Base Product Number
BSM10GD120
Standard Package
10
HTSUS
0000.00.0000
REACH Status
REACH Unaffected
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Not For New Designs
Package
Tray
Other Names
BSM10GD120DN2,SP000100367

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRAM256-1067A2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HYBRID 600V 8A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRGB4045DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 12A 77W TO220AB, IGBT Trench 600 V 12 A 77 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BUZ100S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: FF100R12RT4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 100A 555W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 100 A 555 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFZ44EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 48A TO220AB, N-Channel 60 V 48A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFR2607ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK, N-Channel 75 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее