г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM10GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM10GD120DN2BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-1, IGBT Module
Цена
12 649 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
-
Base Product Number
BSM10GD120
Standard Package
10
HTSUS
0000.00.0000
REACH Status
REACH Unaffected
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Not For New Designs
Package
Tray
Other Names
BSM10GD120DN2,SP000100367

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF3709ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 87A TO220AB, N-Channel 30 V 87A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BUZ100S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: AUIRF1405ZS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK, N-Channel 55 V 150A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPP023N10N5AKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3, N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRG4PSH71UD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 99A 350W SUPER247, IGBT - 1200 V 99 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: IKA10N65ET6XKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 15A TO220-3, IGBT Trench Field Stop 650 V 15 A 40 W Through Hole PG-TO220-3-FP
Подробнее