г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM10GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM10GD120DN2BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-1, IGBT Module
Цена
12 649 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
-
Base Product Number
BSM10GD120
Standard Package
10
HTSUS
0000.00.0000
REACH Status
REACH Unaffected
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Not For New Designs
Package
Tray
Other Names
BSM10GD120DN2,SP000100367

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FF23MR12W1M1PB11BPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER EASY, IGBT Module Trench 2 Independent 1200 V 50 A 0.2 W Chassis Mount AG-EASY1BM-2
Подробнее
Артикул: IPP60R099P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3, N-Channel 600 V 31A (Tc) 117W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRFP3006PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 195A TO247AC, N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF5210STRRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK, P-Channel 100 V 38A (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BFQ19SH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89-3, RF Transistor NPN 15V 120mA 5.5GHz 1W Surface Mount PG-SOT89
Подробнее
Артикул: IRF7811
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 28V 14A 8SO, N-Channel 28 V 14A (Ta) 3.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее