г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM75GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM75GB120DN2HOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MEDIUM POWER 34MM, IGBT Module
Цена
13 615 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-BSM75GB120DN2HOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF3205SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK, N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPP65R190C7FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 13A TO220-3, N-Channel 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRFH3707TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN, N-Channel 30 V 12A (Ta), 29A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (3x3)
Подробнее
Артикул: IRF5801TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6, N-Channel 200 V 600mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее
Артикул: IRL7833S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK, N-Channel 30 V 150A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: SGW20N60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее

Ваша заявка принята