г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM75GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM75GB120DN2HOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MEDIUM POWER 34MM, IGBT Module
Цена
13 615 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-BSM75GB120DN2HOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFB3507PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 97A TO220AB, N-Channel 75 V 97A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: AUIRGP35B60PD-E
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 60A 308W TO247AD, IGBT NPT 600 V 60 A 308 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IRF7493PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO, N-Channel 80 V 9.3A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRLML0030TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23, N-Channel 30 V 5.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее
Артикул: IPA95R450P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 950V 14A TO220, N-Channel 950 V 14A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IRGR4610DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 16A 77W DPAK, IGBT - 600 V 16 A 77 W Surface Mount D-Pak
Подробнее

Ваша заявка принята