г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSP296NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSP296NH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4, N-Channel 100 V 1.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Цена
184 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSP296NH6327XTSA1.jpg
Other Names
BSP296NH6327XTSA1TR,SP001059330,BSP296NH6327XTSA1CT,BSP296NH6327XTSA1-ND,BSP296NH6327XTSA1DKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
152.7 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSP296
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device Package
PG-SOT223-4
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
1,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRL5602
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 24A TO220AB, P-Channel 20 V 24A (Tc) - Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG7PH35UD1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 50A 179W TO247, IGBT Trench 1200 V 50 A 179 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRGB4061DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 36A 206W TO220AB, IGBT Trench 600 V 36 A 206 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSZ068N06NSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON, N-Channel 60 V 40A (Tc) 2.1W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Подробнее
Артикул: IRFI4024H-117P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 55V 11A TO-220FP-5, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 11A 14W Through Hole TO-220-5 Full-Pak
Подробнее
Артикул: AUIRLR3114Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK, N-Channel 40 V 42A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Подробнее