г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSS315PH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3, P-Channel 30 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Цена
83 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSS315PH6327XTSA1.jpg
Other Names
BSS315PH6327XTSA1TR,BSS315PH6327XTSA1DKR,BSS315P H6327DKR,BSS315P H6327TR-ND,BSS315PH6327,2156-BSS315PH6327XTSA1,BSS315P H6327CT-ND,BSS315P H6327,ROCINFBSS315PH6327XTSA1,BSS315P H6327-ND,BSS315P H6327DKR-ND,BSS315P H6327CT,BSS315PH6327XTSA1CT,SP000928946
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
500mW (Ta)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 11µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
282 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSS315
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
3,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLZ44NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB, N-Channel 55 V 47A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IKCM15H60GAXKMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IFPS MODULES 24MDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 15 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IRF9952TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFS4410ZTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK, N-Channel 100 V 97A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IPW60R120C7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3, N-Channel 600 V 19A (Tc) 92W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IGW40T120FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 75A TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 75 A 270 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее