г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSS606NH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89, N-Channel 60 V 3.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
Цена
100 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSS606NH6327XTSA1.jpg
Other Names
SP000691152,BSS606NH6327XTSA1TR,BSS606NH6327XTSA1DKR,INFINFBSS606NH6327XTSA1,BSS606NH6327XTSA1-ND,BSS606NH6327XTSA1CT,2156-BSS606NH6327XTSA1
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
1W (Ta)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 15µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
657 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSS606
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Supplier Device Package
PG-SOT89
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
1,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRL6372PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.1A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IDW100E60FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 600V 150A TO247-3, Diode Standard 600 V 150A (DC) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: SPA11N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRAMY20UP60B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR HYBRID 600V 20A SIP3, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 20 A 22-PowerSIP Module, 18 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: BSL316CH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A TSOP, Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 1.4A, 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
Подробнее
Артикул: IRG4PSC71UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 85A 350W SUPER247, IGBT - 600 V 85 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее