г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BUZ73L Infineon Technologies

Артикул
BUZ73L
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3, N-Channel 200 V 7A (Tc) 40W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BUZ73L.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
40W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 3.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
840 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Other Names
BUZ73L-ND,BUZ73LIN,BUZ73LX,BUZ73LXK,SP000011374
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
500
Series
SIPMOS®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4PH40KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 30A 160W TO247AC, IGBT - 1200 V 30 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BSC110N15NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 76A TDSON, N-Channel 150 V 76A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: SPN01N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 300MA SOT223-4, N-Channel 650 V 300mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: BSM25GD120DN2E3224BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 35A 200W, IGBT Module Three Phase Inverter 1200 V 35 A 200 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: SPD08P06PGBTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3, P-Channel 60 V 8.83A (Ta) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IPW90R120C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3, N-Channel 900 V 36A (Tc) 417W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее