г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

DD1200S17H4B2BOSA2 Infineon Technologies

Артикул
DD1200S17H4B2BOSA2
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE MODULE 1200V 1200A, Diode Array 2 Independent Standard 1700 V - Chassis Mount Module
Цена
83 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Arrays, Диоды - выпрямители - массивы
Image
files/DD1200S17H4B2BOSA2.jpg
Base Product Number
DD1200
Other Names
DD1200S17H4_B2,SP001051976,DD1200S17H4_B2-ND
Speed
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
1700 V
Diode Configuration
2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)
-
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
2.1 V @ 1200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr
1250 A @ 900 V
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
2
Series
-
Package
Tray
Part Status
Active
Package / Case
Module
Supplier Device Package
AG-IHMB130-1
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Operating Temperature - Junction
-40°C ~ 150°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPA11N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRF3205Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB, N-Channel 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF150P221AKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3, N-Channel 150 V 186A (Tc) 3.8W (Ta), 341W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: AUIRGP50B60PD1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 75A 390W TO247AC, IGBT NPT 600 V 75 A 390 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRAM136-3023B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC INTEGRATD PWR HYBRID 30A 150V, Power Driver Module MOSFET 3 Phase 150 V 30 A 22-PowerSIP Module, 18 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRF150P221XKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3, N-Channel 150 V 186A (Tc) 341W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее