г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

DF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies

Артикул
DF11MR12W1M1B11BOMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET MODULE 1200V 50A, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 50A 20mW Chassis Mount AG-EASY1BM-2
Цена
24 465 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/DF11MR12W1M1B11BOMA1.jpg
Other Names
2156-DF11MR12W1M1B11BOMA1,INFINFDF11MR12W1M1B11BOMA1,SP001602238
Power - Max
20mW
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 20mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
125nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3950pF @ 800V
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
24
Series
-
Package
Tray
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Module
Supplier Device Package
AG-EASY1BM-2
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
FET Feature
Silicon Carbide (SiC)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF60R217
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 58A DPAK, N-Channel 60 V 58A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Подробнее
Артикул: IRF1010EZ
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB, N-Channel 60 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPP032N06N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3, N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: BSC080N03MSGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON, N-Channel 30 V 13A (Ta), 53A (Tc) 2.5W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: IM818MCCXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 16A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase Inverter 1.2 kV 16 A 24-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
Подробнее
Артикул: FP25R12W2T4BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 39A 175W, IGBT Module - Three Phase Inverter 1200 V 39 A 175 W Chassis Mount Module
Подробнее