г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

DF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies

Артикул
DF11MR12W1M1B11BOMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET MODULE 1200V 50A, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 50A 20mW Chassis Mount AG-EASY1BM-2
Цена
24 465 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/DF11MR12W1M1B11BOMA1.jpg
Other Names
2156-DF11MR12W1M1B11BOMA1,INFINFDF11MR12W1M1B11BOMA1,SP001602238
Power - Max
20mW
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 20mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
125nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3950pF @ 800V
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
24
Series
-
Package
Tray
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Module
Supplier Device Package
AG-EASY1BM-2
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
FET Feature
Silicon Carbide (SiC)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IDH06S60CAKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 6A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: AUIRF7313QTR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SO, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A 2.4W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: IPA60R099P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 31A TO220, N-Channel 600 V 31A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IRF7457
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 15A 8SO, N-Channel 20 V 15A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFZ44EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 48A TO220AB, N-Channel 60 V 48A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: MMBTA92LT1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PNP 300V 0.5A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 500 mA 50MHz 360 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее