г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

DF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies

Артикул
DF11MR12W1M1B11BOMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET MODULE 1200V 50A, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 50A 20mW Chassis Mount AG-EASY1BM-2
Цена
24 465 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/DF11MR12W1M1B11BOMA1.jpg
Other Names
2156-DF11MR12W1M1B11BOMA1,INFINFDF11MR12W1M1B11BOMA1,SP001602238
Power - Max
20mW
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 20mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
125nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3950pF @ 800V
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
24
Series
-
Package
Tray
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Module
Supplier Device Package
AG-EASY1BM-2
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
FET Feature
Silicon Carbide (SiC)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC014N04LSIATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON, N-Channel 40 V 31A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Подробнее
Артикул: IPT010N08NM5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8, N-Channel 80 V 43A (Ta), 425A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
Подробнее
Артикул: IKW50N60T
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: BSC028N06NSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON, N-Channel 60 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: IPP60R125C6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3, N-Channel 600 V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRFB3306PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB, N-Channel 60 V 120A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее