г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FD250R65KE3KNOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FD250R65KE3KNOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 6500V 250A 4800W, IGBT Module - Single 6500 V 250 A 4800 W Chassis Mount Module
Цена
135 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FD250R65KE3KNOSA1.jpg
Other Names
FD250R65KE3-K-ND,SP000976698,FD250R65KE3-K,2156-FD250R65KE3KNOSA1-448
Configuration
Single
Power - Max
4800 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
6500 V
Current - Collector (Ic) (Max)
250 A
Input
Standard
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.4V @ 15V, 250A
NTC Thermistor
No
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Base Product Number
FD250R65
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
2
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-50°C ~ 125°C
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
69 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSP299H6327XUSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4, N-Channel 500 V 400mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: IRFP260MPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC, N-Channel 200 V 50A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: F4-50R12MS4
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 70A, 1200V, N-CHANNEL, IGBT
Подробнее
Артикул: IPW60R160P6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N-Channel 600 V 23.8A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: BSZ12DN20NS3G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BSZ12DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P,
Подробнее
Артикул: IRGPC40UD2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT W/DIODE 600V 40A TO-247AC, IGBT - 600 V 40 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее