г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF23MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies

Артикул
FF23MR12W1M1B11BOMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 50A 20mW Chassis Mount Module
Цена
18 781 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/FF23MR12W1M1B11BOMA1.jpg
Base Product Number
FF23MR12
Other Names
SP001602224
Power - Max
20mW
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.55V @ 20mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
125nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3950pF @ 800V
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
24
HTSUS
8541.21.0095
Series
CoolSiC™+
Package
Tray
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Silicon Carbide (SiC)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGP4640DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 65A TO247AD, IGBT - 600 V 65 A 250 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: AUIRFS3207Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK, N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFP054N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 81A TO247AC, N-Channel 55 V 81A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF5851TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP, Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.7A, 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Подробнее
Артикул: IRAMS06UP60B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: PWR MOD 600V 6A 23PWRSIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 6 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: BSS79C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 40V 800MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 800 mA 250MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее