г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF450R12KE4HOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF450R12KE4HOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 520A 2400W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 520 A 2400 W Chassis Mount Module
Цена
37 996 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FF450R12KE4HOSA1.jpg
Base Product Number
FF450R12
Other Names
FF450R12KE4,FF450R12KE4-ND,INFINFFF450R12KE4HOSA1,2156-FF450R12KE4HOSA1,SP000370610
Configuration
Half Bridge
Power - Max
2400 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
520 A
Input
Standard
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 450A
NTC Thermistor
No
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Series
C
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
28 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSZ086P03NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON, P-Channel 30 V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: IRFP9140NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 23A TO247AC, P-Channel 100 V 23A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFR120Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK, N-Channel 100 V 8.7A (Tc) 35W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRFH3702TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 16A/42A 8PQFN, N-Channel 30 V 16A (Ta), 42A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (3x3)
Подробнее
Артикул: IRF3415S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK, N-Channel 150 V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: SDT06S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 6A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее