г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF450R12KE4HOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF450R12KE4HOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 520A 2400W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 520 A 2400 W Chassis Mount Module
Цена
37 996 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FF450R12KE4HOSA1.jpg
Base Product Number
FF450R12
Other Names
FF450R12KE4,FF450R12KE4-ND,INFINFFF450R12KE4HOSA1,2156-FF450R12KE4HOSA1,SP000370610
Configuration
Half Bridge
Power - Max
2400 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
520 A
Input
Standard
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 450A
NTC Thermistor
No
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Series
C
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
28 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC042NE7NS3 G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRFI4020H-117P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 200V 9.1A 21W Through Hole TO-220-5 Full-Pak
Подробнее
Артикул: IRAM136-3023B2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER DRIVER MOD 150V 30A 22SIP, Power Driver Module MOSFET 3 Phase 150 V 30 A 22-PowerSIP Module, 18 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: BC859-C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IKD15N60RC2ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKD15N60RC2ATMA1, IGBT Trench Field Stop 600 V 28 A 115.4 W Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRFB5620PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB, N-Channel 200 V 25A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее