г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF450R33T3E3BPSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF450R33T3E3BPSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 3300V 450A AGXHP100-3, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 3300 V 450 A 1000000 W Chassis Mount AG-XHP100-3
Цена
102 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FF450R33T3E3BPSA1.jpg
Base Product Number
FF450R33
Other Names
SP001779538
Configuration
Half Bridge
Power - Max
1000000 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
3300 V
Current - Collector (Ic) (Max)
450 A
Input
Standard
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.75V @ 15V, 450A
NTC Thermistor
No
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
1
HTSUS
8541.29.0095
Series
XHP™3
Package
Tray
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Package / Case
Module
Supplier Device Package
AG-XHP100-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR191
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IPN70R600P7SATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223, N-Channel 700 V 8.5A (Tc) 6.9W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Подробнее
Артикул: IRF135SA204
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 135V 160A D2PAK-7, N-Channel 135 V 160A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Подробнее
Артикул: IPW60R099C6FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3, N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: FS200T12A1T4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MODULE IGBT HYBRID PK, IGBT Module - - - -
Подробнее
Артикул: IRLML2402TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23, N-Channel 20 V 1.2A (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее