г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF600R12KE4BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF600R12KE4BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE 1200V 600A, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 600 A Chassis Mount Module
Цена
44 968 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FF600R12KE4BOSA1.jpg
Base Product Number
FF600R12
Other Names
FF600R12KE4,SP001500368
Configuration
Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
600 A
Input
Standard
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 600A
NTC Thermistor
No
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
HTSUS
8541.29.0095
Series
C
Package
Tray
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Input Capacitance (Cies) @ Vce
38 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGB4610DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 16A 77W TO220, IGBT - 600 V 16 A 77 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSC047N08NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON, N-Channel 80 V 18A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: IRF7410GTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO, P-Channel 12 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFU3710Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK, N-Channel 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IPD30N10S3L34ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3, N-Channel 100 V 30A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: FS820R08A6P2BBPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE PACK DRV HYBRIDD-1, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 750 V 450 A 714 W Chassis Mount AG-HYBRIDD-2
Подробнее