г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF6MR12KM1BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF6MR12KM1BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MEDIUM POWER 62MM, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 250A (Tc) - Chassis Mount AG-62MM
Цена
78 231 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/FF6MR12KM1BOSA1.jpg
Supplier Device Package
AG-62MM
Power - Max
-
FET Type
2 N-Channel (Half Bridge)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.81mOhm @ 250A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.15V @ 80mA
FET Feature
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
496nC @ 15V
Package / Case
Module
Standard Package
10
Series
CoolSiC™
Package
Tray
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Base Product Number
FF6MR12
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001686408,448-FF6MR12KM1BOSA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14700pF @ 800V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4BC10SD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 14A 38W TO220AB, IGBT - 600 V 14 A 38 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BAR151E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 100V 250MW SOT23-3, RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 100V 140 mA 250 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRF7204PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO, P-Channel 20 V 5.3A (Ta) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF7904PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.6A, 11A 1.4W, 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRLI520NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220AB FP, N-Channel 100 V 8.1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: IPL60R650P6SATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 6.7A 8THINPAK, N-Channel 600 V 6.7A (Tc) 56.8W (Tc) Surface Mount 8-ThinPak (5x6)
Подробнее