г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF6MR12KM1BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF6MR12KM1BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MEDIUM POWER 62MM, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 250A (Tc) - Chassis Mount AG-62MM
Цена
78 231 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/FF6MR12KM1BOSA1.jpg
Supplier Device Package
AG-62MM
Power - Max
-
FET Type
2 N-Channel (Half Bridge)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.81mOhm @ 250A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.15V @ 80mA
FET Feature
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
496nC @ 15V
Package / Case
Module
Standard Package
10
Series
CoolSiC™
Package
Tray
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Base Product Number
FF6MR12
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001686408,448-FF6MR12KM1BOSA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14700pF @ 800V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFU1205PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 44A IPAK, N-Channel 55 V 44A (Tc) 107W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IPA60R280E6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 600V 0.28OHM N-CHANNEL MOSFET, Mosfet Array
Подробнее
Артикул: FZ600R65KE3NOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 6500V 1200A 2400W, IGBT Module - Single 6500 V 1200 A 2400 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: SGW15N120
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 30A, 1200V, N-CHANNEL, IGBT NPT 1200 V 30 A 198 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BBY57-02V
Бренд: Infineon Technologies
Описание: VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Varactors
Подробнее
Артикул: IRFU5305PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 31A IPAK, P-Channel 55 V 31A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее