г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF6MR12KM1BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF6MR12KM1BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MEDIUM POWER 62MM, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 250A (Tc) - Chassis Mount AG-62MM
Цена
78 231 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/FF6MR12KM1BOSA1.jpg
Supplier Device Package
AG-62MM
Power - Max
-
FET Type
2 N-Channel (Half Bridge)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.81mOhm @ 250A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.15V @ 80mA
FET Feature
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
496nC @ 15V
Package / Case
Module
Standard Package
10
Series
CoolSiC™
Package
Tray
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Base Product Number
FF6MR12
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001686408,448-FF6MR12KM1BOSA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14700pF @ 800V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP60R099C6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3, N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRLR2908PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK, N-Channel 80 V 30A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: SPB80P06P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3, P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: BSC12DN20NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON, N-Channel 200 V 11.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: IRFP4868PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRFP4868 - 12V-300V N-CHANNEL PO, N-Channel 300 V 70A (Tc) 517W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: FS10R06VL4_B2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE, IGBT Module
Подробнее