г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FP10R12W1T4PBPSA1 Infineon Technologies

Артикул
FP10R12W1T4PBPSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 20A 20MW, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 20 A 20 mW Chassis Mount Module
Цена
6 840 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FP10R12W1T4PBPSA1.jpg
Base Product Number
FP10R12
Other Names
SP001585450,FP10R12W1T4P,2156-FP10R12W1T4PBPSA1-448
Configuration
Three Phase Inverter
Power - Max
20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Input
Three Phase Bridge Rectifier
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.25V @ 15V, 10A
NTC Thermistor
Yes
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
30
Series
EasyPIM™ 1B
Package
Tray
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
600 pF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC025N08LS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7, N-Channel 80 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: IPA60R180C7
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 9A, 600V, 0.18OHM, N-CHANNEL MOS, N-Channel 600 V 9A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-111
Подробнее
Артикул: IPD95R2K0P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3, N-Channel 950 V 4A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IPW60R060P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3, N-Channel 600 V 48A (Tc) 164W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRF540NLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 33A TO262, N-Channel 100 V 33A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRF6725MTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET, N-Channel 30 V 28A (Ta), 170A (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Подробнее