г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FP50R12KT4GBOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FP50R12KT4GBOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 50A 280W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 50 A 280 W Chassis Mount Module
Цена
24 372 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FP50R12KT4GBOSA1.jpg
Other Names
2156-FP50R12KT4GBOSA1,SP000879284,FP50R12KT4G,FP50R12KT4G-ND,INFINFFP50R12KT4GBOSA1
Configuration
Three Phase Inverter
Power - Max
280 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Input
Standard
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor
Yes
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
Base Product Number
FP50R12
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
2.8 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGP30B120KD-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 60A 300W TO247AD, IGBT NPT 1200 V 60 A 300 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: DD104N16KHPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE MODULE GP 1600V 104A, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1600 V 104A Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: SPD03N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252, N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее
Артикул: IGT60R190D1SATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF, N-Channel 600 V 12.5A (Tc) 55.5W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-3
Подробнее
Артикул: IPW60R041P6FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3, N-Channel 600 V 77.5A (Tc) 481W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: SGP07N120XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 16.5A 125W TO220, IGBT NPT 1200 V 16.5 A 125 W Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее