г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FS25R12KE3GBOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FS25R12KE3GBOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
FS25R12 - IGBT MODULE, IGBT Module
Цена
8 879 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-FS25R12KE3GBOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAT1503WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOD323-2, RF Diode Schottky - Single 4V 110 mA 100 mW PG-SOD323-2
Подробнее
Артикул: BSC042NE7NS3 G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: BSC061N08NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 82A TDSON, N-Channel 80 V 82A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: IRAMS10UP60A-2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR MOD PLUG-N-DRIVE 600V 10A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRLZ44NSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK, N-Channel 55 V 47A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRG4BC40SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 60A 160W TO220AB, IGBT - 600 V 60 A 160 W Through Hole TO-220AB
Подробнее

Ваша заявка принята