г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IAUC28N08S5L230ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IAUC28N08S5L230ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33, N-Channel 80 V 28A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-33
Цена
188 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IAUC28N08S5L230ATMA1.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 11µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
867 pF @ 40 V
FET Feature
-
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-33
Package / Case
8-PowerTDFN
Mounting Type
Surface Mount
Series
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Other Names
448-IAUC28N08S5L230ATMA1CT,448-IAUC28N08S5L230ATMA1DKR,SP002669400,448-IAUC28N08S5L230ATMA1TR
Standard Package
5,000
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Base Product Number
IAUC28
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
38W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFSL3607PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 80A TO262, N-Channel 75 V 80A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IKW25N120T2FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3, IGBT Trench 1200 V 50 A 349 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRL1404ZSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK, N-Channel 40 V 75A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IDL12G65C5XUMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 12A VSON-4, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 12A (DC) Surface Mount PG-VSON-4
Подробнее
Артикул: IRF6648TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN, N-Channel 60 V 86A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Подробнее
Артикул: IRG4PC30SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 34A 100W TO247AC, IGBT - 600 V 34 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее