г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IAUC28N08S5L230ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IAUC28N08S5L230ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33, N-Channel 80 V 28A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-33
Цена
188 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IAUC28N08S5L230ATMA1.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 11µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
867 pF @ 40 V
FET Feature
-
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-33
Package / Case
8-PowerTDFN
Mounting Type
Surface Mount
Series
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Other Names
448-IAUC28N08S5L230ATMA1CT,448-IAUC28N08S5L230ATMA1DKR,SP002669400,448-IAUC28N08S5L230ATMA1TR
Standard Package
5,000
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Base Product Number
IAUC28
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
38W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4PC40SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 60A 160W TO247AC, IGBT - 600 V 60 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BC-848-B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRFS41N15DTRLP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK, N-Channel 150 V 41A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFZ46NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 53A TO220AB, N-Channel 55 V 53A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSC190N12NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON, N-Channel 120 V 8.6A (Ta), 44A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: IRF7821PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO, N-Channel 30 V 13.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее