г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IAUS300N08S5N011TATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IAUS300N08S5N011TATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET_(75V 120V(, N-Channel 80 V 300A (Tj) 375W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-16-2
Цена
1 423 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IAUS300N08S5N011TATMA1.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
300A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 275µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
231 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
16250 pF @ 40 V
FET Feature
-
Supplier Device Package
PG-HDSOP-16-2
Standard Package
1,800
Series
OptiMOS™ 5
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
16-SOP (0.398", 10.10mm Width) Exposed Pad
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
448-IAUS300N08S5N011TATMA1DKR,448-IAUS300N08S5N011TATMA1CT,448-IAUS300N08S5N011TATMA1TR,SP005432758
Power Dissipation (Max)
375W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF4905STRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK, P-Channel 55 V 42A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRG4PF50WDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 900V 51A 200W TO247AC, IGBT - 900 V 51 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: AUIRFB8409
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB, N-Channel 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FF75R12RT4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 75A 395W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 75 A 395 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRLB8314PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3, N-Channel 30 V 171A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: BCW60A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 32V 100MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 32 V 100 mA 125MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее