г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies

Артикул
IAUT300N08S5N012ATMA2
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF, N-Channel 80 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Цена
1 266 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IAUT300N08S5N012ATMA2.jpg
Other Names
IAUT300N08S5N012ATMA2CT,IAUT300N08S5N012CT-ND,IAUT300N08S5N012ATMA2-ND,IAUT300N08S5N012,IAUT300N08S5N012CT,IAUT300N08S5N012DKR-ND,IAUT300N08S5N012DKR,IAUT300N08S5N012ATMA2TR,IAUT300N08S5N012TR-ND,IAUT300N08S5N012TR,IAUT300N08S5N012ATMA2DKR,SP001585160
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
375W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 275µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
16250 pF @ 40 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
IAUT300
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
8-PowerSFN
Supplier Device Package
PG-HSOF-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IKD06N60R
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3, IGBT Trench 600 V 12 A 100 W Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: BAR9002ELSE6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 80V 250MW TSSLP-2, RF Diode PIN - Single 80V 100 mA 250 mW PG-TSSLP-2-3
Подробнее
Артикул: BUZ31L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3, N-Channel 200 V 13.5A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRGB4615DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 23A 99W TO220, IGBT - 600 V 23 A 99 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSM10GD120DN2BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-1, IGBT Module
Подробнее
Артикул: IRGP50B60PD1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 75A 390W TO247AC, IGBT NPT 600 V 75 A 390 W Through Hole TO-247AC
Подробнее