г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IDH05G120C5XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IDH05G120C5XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 5A (DC) Through Hole PG-TO220-2-1
Цена
717 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/IDH05G120C5XKSA1.jpg
Base Product Number
IDH05G120
Other Names
SP000974868
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type
Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
1200 V
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr
33 µA @ 1200 V
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 175°C
Current - Average Rectified (Io)
5A (DC)
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
50
Series
CoolSiC™+
Package
Tube
Part Status
Active
Package / Case
TO-220-2
Supplier Device Package
PG-TO220-2-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Capacitance @ Vr, F
301pF @ 1V, 1MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPA50R380CE
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-FP, N-Channel 500 V 9.9A (Tc) 29.2W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: BSC150N03LDGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 26W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Подробнее
Артикул: DDB2U50N08W1RB23BOMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1, IGBT Module - 2 Independent Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IPW60R018CFD7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH, N-Channel 101A (Tc) - - -
Подробнее
Артикул: IRGP4630DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 47A 206W TO247AC, IGBT - 600 V 47 A 206 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRAMX16UP60B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR HYBRID 600V 16A 23PWRSIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 16 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее