г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IDH05G120C5XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IDH05G120C5XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 5A (DC) Through Hole PG-TO220-2-1
Цена
717 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/IDH05G120C5XKSA1.jpg
Base Product Number
IDH05G120
Other Names
SP000974868
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Diode Type
Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
1200 V
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr
33 µA @ 1200 V
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 175°C
Current - Average Rectified (Io)
5A (DC)
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
50
Series
CoolSiC™+
Package
Tube
Part Status
Active
Package / Case
TO-220-2
Supplier Device Package
PG-TO220-2-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Capacitance @ Vr, F
301pF @ 1V, 1MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPP11N80C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: FP25R12W2T4BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 39A 175W, IGBT Module - Three Phase Inverter 1200 V 39 A 175 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IPW90R120C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 COO, N-Channel 900 V 36A (Tc) 417W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IGCM10F60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 24MDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: SPB80N03S2-03
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3, N-Channel 30 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IPD70R900P7SAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3, N-Channel 700 V 6A (Tc) 30.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее