г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IDP30E60XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IDP30E60XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO220, Diode Standard 600 V 52.3A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Цена
195 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/IDP30E60XKSA1.jpg
Other Names
IFEINFIDP30E60XKSA1,SP000683032,IDP30E60-ND,IDP30E60,2156-IDP30E60XKSA1
Speed
Fast Recovery = 200mA (Io)
Diode Type
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
600 V
Reverse Recovery Time (trr)
126 ns
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr
50 µA @ 600 V
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 175°C
Current - Average Rectified (Io)
52.3A (DC)
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
500
HTSUS
8541.10.0080
Series
-
Package
Tube
Part Status
Last Time Buy
Package / Case
TO-220-2
Supplier Device Package
PG-TO220-2-2
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Capacitance @ Vr, F
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF8113
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO, N-Channel 30 V 17.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IPW60R070CFD7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3, N-Channel 650 V 31A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-21
Подробнее
Артикул: BAT15099E6433HTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4, RF Diode Schottky - 2 Independent 4V 110 mA 100 mW PG-SOT-143-3D
Подробнее
Артикул: IRF4905STRRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK, P-Channel 55 V 42A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BCR108E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 170 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: MMBD7000LT1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SILICON SWITCHING DIODE ARRAY, Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 100 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее