г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IDW10G120C5BFKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IDW10G120C5BFKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 17A Through Hole TO-247-3
Цена
1 195 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Arrays, Диоды - выпрямители - массивы
Image
files/IDW10G120C5BFKSA1.jpg
Base Product Number
IDW10G120
Other Names
SP001071786,2156-IDW10G120C5BFKSA1,INFINFIDW10G120C5BFKSA1
Speed
Fast Recovery = 200mA (Io)
Diode Type
Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
1200 V
Diode Configuration
1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)
17A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.65 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr
40 µA @ 1200 V
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
30
HTSUS
8541.10.0080
Series
CoolSiC™+
Package
Tube
Part Status
Active
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3-41
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 175°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7341TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 4.7A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRLML0100TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23, N-Channel 100 V 1.6A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее
Артикул: IRG4PH50SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 57A 200W TO247AC, IGBT - 1200 V 57 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRL1404PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB, N-Channel 40 V 160A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BUZ323
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: SDB20S30
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 300V D2PAK, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 300 V 10A (DC) Surface Mount TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Подробнее