г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IDW40G120C5BFKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IDW40G120C5BFKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 55A (DC) Through Hole TO-247-3
Цена
3 397 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Arrays, Диоды - выпрямители - массивы
Image
files/IDW40G120C5BFKSA1.jpg
Base Product Number
IDW40G120
Other Names
SP001020714
Speed
Fast Recovery = 200mA (Io)
Diode Type
Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
1200 V
Diode Configuration
1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)
55A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr
166 µA @ 1200 V
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
30
HTSUS
8541.10.0080
Series
CoolSiC™+
Package
Tube
Part Status
Active
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 175°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP60R070CFD7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3, N-Channel 650 V 31A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: BSS315PH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3, P-Channel 30 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRFP4710PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 72A TO247AC, N-Channel 100 V 72A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BCP69E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRL3715ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 50A TO220AB, N-Channel 20 V 50A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPD50P04P4L11ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3, P-Channel 40 V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее