г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IDW40G120C5BFKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IDW40G120C5BFKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 55A (DC) Through Hole TO-247-3
Цена
3 397 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Arrays, Диоды - выпрямители - массивы
Image
files/IDW40G120C5BFKSA1.jpg
Base Product Number
IDW40G120
Other Names
SP001020714
Speed
Fast Recovery = 200mA (Io)
Diode Type
Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
1200 V
Diode Configuration
1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)
55A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr
166 µA @ 1200 V
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
30
HTSUS
8541.10.0080
Series
CoolSiC™+
Package
Tube
Part Status
Active
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 175°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF5851TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP, Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.7A, 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Подробнее
Артикул: SPW20N60C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3, N-Channel 650 V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BCR198E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 190 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: AUIRF7647S2TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET, N-Channel 100 V 5.9A (Ta), 24A (Tc) 2.5W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SC
Подробнее
Артикул: IRGP4750DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V TO-247, IGBT - 650 V 70 A 273 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: AUIRGB4062D1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 59A 246W TO-220AB, IGBT Trench 600 V 59 A 246 W Through Hole TO-220AB
Подробнее