IGLD60R190D1AUMA1 Infineon Technologies
Артикул
IGLD60R190D1AUMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V 10A LSON-8, N-Channel 600 V 10A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-LSON-8-1
Цена
83 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Series
CoolGaN™
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 960µA
Vgs (Max)
-10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
157 pF @ 400 V
FET Feature
-
FET Type
N-Channel
Base Product Number
IGLD60
Supplier Device Package
PG-LSON-8-1
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Obsolete
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
448-IGLD60R190D1AUMA1DKR,448-IGLD60R190D1AUMA1TR,448-IGLD60R190D1AUMA1CT,SP001705426
Standard Package
3,000
Package / Case
8-LDFN Exposed Pad
Power Dissipation (Max)
62.5W (Tc)
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут