г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IGW25N120H3FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGW25N120H3 - 1200V, 25A IGBT DI, IGBT
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IGW25N120H3FKSA1.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-IGW25N120H3FKSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FF300R12KT3HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 480A 1450W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 480 A 1450 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFR540ZTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK, N-Channel 100 V 35A (Tc) 91W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: DD1200S17H4B2BOSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE MODULE 1200V 1200A, Diode Array 2 Independent Standard 1700 V - Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFB7540PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 110A TO220, N-Channel 60 V 110A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IPD60R1K4C6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3, N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IPD60R950C6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3, N-Channel 600 V 4.4A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее

Ваша заявка принята