г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IGW25T120FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IGW25T120FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 50A TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 50 A 190 W Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
923 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IGW25T120FKSA1.jpg
Other Names
2156-IGW25T120FKSA1,IGW25T120-ND,SP000013887,IGW25T120,IFEINFIGW25T120FKSA1
Test Condition
600V, 25A, 22Ohm, 15V
Power - Max
190 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
IGBT Type
NPT, Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm)
75 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 25A
Switching Energy
4.2mJ
Gate Charge
155 nC
Base Product Number
IGW25T120
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
30
Series
TrenchStop®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Td (on/off) @ 25°C
50ns/560ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGS4607DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11A 58W D2PAK, IGBT - 600 V 11 A 58 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BCR133E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRF7811A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO, N-Channel 28 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BCR191
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IPP50N10S3L16AKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3, N-Channel 100 V 50A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRFR3707ZTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 56A DPAK, N-Channel 30 V 56A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее