г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IGW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IGW40N120H3FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 80A 483W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 483 W Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
1 266 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IGW40N120H3FKSA1.jpg
Other Names
IGW40N120H3,IGW40N120H3-ND,SP000667510
Test Condition
600V, 40A, 12Ohm, 15V
Power - Max
483 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 40A
Switching Energy
3.16mJ
Gate Charge
185 nC
Base Product Number
IGW40N120
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
30
Series
TrenchStop®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Td (on/off) @ 25°C
30ns/290ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRAMS06UP60A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC POWER MODULE PLUG N DRIVE INT, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 6 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: DDB6U145N16LHOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE MODULE GP 1600V, Diode Array 3 Independent Standard 1600 V - Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BSZ096N10LS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON, N-Channel 100 V 40A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Подробнее
Артикул: IRLR3705Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRFH8318TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN, N-Channel 30 V 27A (Ta), 120A (Tc) 3.6W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: IRGP4740DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V TO-247, IGBT - 650 V 60 A 250 W Through Hole TO-247AD
Подробнее