г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IGW40N60H3FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IGW40N60H3FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 80A 306W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 306 W Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
520 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IGW40N60H3FKSA1.jpg
Other Names
IGW40N60H3,IGW40N60H3-ND,SP000769926
Test Condition
400V, 40A, 7.9Ohm, 15V
Power - Max
306 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 40A
Switching Energy
1.68mJ
Gate Charge
223 nC
Base Product Number
IGW40N60
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
240
Series
TrenchStop®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Td (on/off) @ 25°C
19ns/197ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4BC30KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 28A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 28 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SDB20S30
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 300V D2PAK, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 300 V 10A (DC) Surface Mount TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Подробнее
Артикул: SPB80P06PGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3, P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IRF8113
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO, N-Channel 30 V 17.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRG4PH50SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 57A 200W TO247AC, IGBT - 1200 V 57 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BUZ73A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3, N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее