г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IGW50N60H3 Infineon Technologies

Артикул
IGW50N60H3
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGW50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT, IGBT
Цена
381 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IGW50N60H3.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-IGW50N60H3,INFINFIGW50N60H3
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC022N04LS6ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON, N-Channel 40 V 27A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: IRLS4030-7PPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK, N-Channel 100 V 190A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: SPB20N60C3ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO263-3, N-Channel 650 V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IRG4PC40SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 60A 160W TO247AC, IGBT - 600 V 60 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BTS247Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IGW50N60H3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGW50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT, IGBT
Подробнее

Ваша заявка принята