г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IHW20N135R5XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IHW20N135R5XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1350V 40A TO247-3, IGBT - 1350 V 40 A 288 W Through Hole PG-TO247-3
Цена
593 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IHW20N135R5XKSA1.jpg
Other Names
1077-IHW20N135R5,2156-IHW20N135R5XKSA1,IHW20N135R5,448-IHW20N135R5,1077-IHW20N135R5-ND,INFINFIHW20N135R5XKSA1,448-IHW20N135R5-ND,SP001078568
Test Condition
600V, 20A, 10Ohm, 15V
Power - Max
288 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1350 V
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
IGBT Type
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.85V @ 15V, 20A
Switching Energy
950µJ (off)
Gate Charge
170 nC
Base Product Number
IHW20N135
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
30
Series
TrenchStop®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Td (on/off) @ 25°C
-/235ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF640NSTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK, N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF3000
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 300V 1.6A 8SO, N-Channel 300 V 1.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IPP037N08N3 G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1,
Подробнее
Артикул: BCR133WH6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: SPW55N80C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3, N-Channel 800 V 54.9A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRFU1205PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 44A IPAK, N-Channel 55 V 44A (Tc) 107W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее