г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IHW30N110R3FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IHW30N110R3FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT TRENCH 1100V 60A TO247-3, IGBT Trench 1100 V 60 A 333 W Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
742 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IHW30N110R3FKSA1.jpg
Other Names
IHW30N110R3,SP000702510,IFEINFIHW30N110R3FKSA1,2156-IHW30N110R3FKSA1,IHW30N110R3-ND
Test Condition
600V, 30A, 15Ohm, 15V
Power - Max
333 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1100 V
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
IGBT Type
Trench
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.75V @ 15V, 30A
Switching Energy
1.15mJ (off)
Gate Charge
180 nC
Base Product Number
IHW30N110
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
30
Series
-
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Td (on/off) @ 25°C
-/350ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7453
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO, N-Channel 250 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFS4010PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK, N-Channel 100 V 180A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BCR141W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IRFP4868PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRFP4868 - 12V-300V N-CHANNEL PO, N-Channel 300 V 70A (Tc) 517W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRLML2060TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23, N-Channel 60 V 1.2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее
Артикул: BAT2402LSE6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSSLP-2, RF Diode Schottky - Single 4V 110 mA 100 mW PG-TSSLP-2-1
Подробнее