г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IKA10N60TXKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IKA10N60TXKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 11.7A 30W TO220-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 11.7 A 30 W Through Hole PG-TO220-3-31
Цена
362 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IKA10N60TXKSA1.jpg
Other Names
IKA10N60T,IKA10N60T-ND,SP000215376
Test Condition
400V, 10A, 23Ohm, 15V
Power - Max
30 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
11.7 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.05V @ 15V, 10A
Switching Energy
430µJ
Gate Charge
62 nC
Td (on/off) @ 25°C
12ns/215ns
Base Product Number
IKA10N60
Mounting Type
Through Hole
Series
TrenchStop®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package
PG-TO220-3-31
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
50
Reverse Recovery Time (trr)
115 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7105TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 25V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BAT1502LRHE6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSLP2, RF Diode Schottky - Single 4V 110 mA 100 mW PG-TSLP-2-7
Подробнее
Артикул: IRG4BC40FPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 49A 160W TO220AB, IGBT - 600 V 49 A 160 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSC027N10NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON, N-Channel 100 V 23A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
Подробнее
Артикул: IPD30N10S3L34ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3, N-Channel 100 V 30A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: AUIRFS8408
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK, N-Channel 40 V 195A (Tc) 294W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее