г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IKD15N60RFATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IKD15N60RFATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT TRENCH/FS 600V 30A TO252-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 30 A 250 W Surface Mount PG-TO252-3
Цена
358 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IKD15N60RFATMA1.jpg
Other Names
IKD15N60RF,IKD15N60RFATMA1TR,IKD15N60RF-TR-ND,IKD15N60RFATMA1DKR,IKD15N60RF-CT-ND,2156-IKD15N60RFATMA1,IKD15N60RF-TR,IKD15N60RF-CT,IKD15N60RFATMA1CT,SP000939368,IKD15N60RF-DKR,IKD15N60RF-DKR-ND,INFINFIKD15N60RFATMA1
Test Condition
400V, 15A, 15Ohm, 15V
Power - Max
250 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm)
45 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 15A
Switching Energy
270µJ (on), 250µJ (off)
Gate Charge
90 nC
Td (on/off) @ 25°C
13ns/160ns
Base Product Number
IKD15N
Mounting Type
Surface Mount
Series
TrenchStop®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
PG-TO252-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,500
Reverse Recovery Time (trr)
74 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSL316CH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A TSOP, Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 1.4A, 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
Подробнее
Артикул: IPU60R1K0CEAKMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251-3, N-Channel 600 V 4.3A (Tc) 61W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Подробнее
Артикул: IRF7780MTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 89A DIRECTFET, N-Channel 75 V 89A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric ME
Подробнее
Артикул: IDW40G120C5BFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 55A (DC) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: IPP029N06NAKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3, N-Channel 60 V 24A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IPP030N10N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3, N-Channel 100 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее