г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IKW25N120T2 Infineon Technologies

Артикул
IKW25N120T2
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IKW25N120 - DISCRETE IGBT WITH A, IGBT
Цена
525 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IKW25N120T2.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-IKW25N120T2,INFINFIKW25N120T2
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF2204PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB, N-Channel 40 V 210A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SPU08P06P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 8.83A TO251-3, P-Channel 60 V 8.83A (Ta) 42W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Подробнее
Артикул: BCR183S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: AUIRG4BC30S-S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 34A 100W D2PAK, IGBT - 600 V 34 A 100 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: SPD30P06PGBTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3, P-Channel 60 V 30A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IPD075N03LG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее

Ваша заявка принята