г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IKW40N60H3FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IKW40N60H3FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 306 W Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
873 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IKW40N60H3FKSA1.jpg
Other Names
2156-IKW40N60H3FKSA1,IKW40N60H3-ND,INFINFIKW40N60H3FKSA1,IKW40N60H3,SP000769928,-IKW40N60H3
Test Condition
400V, 40A, 7.9Ohm, 15V
Power - Max
306 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 40A
Switching Energy
1.68mJ
Gate Charge
223 nC
Td (on/off) @ 25°C
19ns/197ns
Base Product Number
IKW40N60
Mounting Type
Through Hole
Series
TrenchStop®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
30
Reverse Recovery Time (trr)
124 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4BC30FPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 31A TO220AB, IGBT - 600 V 31 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSP170PH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4, P-Channel 60 V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: IRFB3207PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB, N-Channel 75 V 170A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BC807-16
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IRFB7530PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB, N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPD80N04S306ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3, N-Channel 40 V 90A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее