г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IKW40N60H3FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IKW40N60H3FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 306 W Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
873 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IKW40N60H3FKSA1.jpg
Other Names
2156-IKW40N60H3FKSA1,IKW40N60H3-ND,INFINFIKW40N60H3FKSA1,IKW40N60H3,SP000769928,-IKW40N60H3
Test Condition
400V, 40A, 7.9Ohm, 15V
Power - Max
306 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 40A
Switching Energy
1.68mJ
Gate Charge
223 nC
Td (on/off) @ 25°C
19ns/197ns
Base Product Number
IKW40N60
Mounting Type
Through Hole
Series
TrenchStop®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
30
Reverse Recovery Time (trr)
124 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSZ0702LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON, N-Channel 60 V 17A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Подробнее
Артикул: BAR6702VH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SC79-2, RF Diode PIN - Single 150V 200 mA 250 mW PG-SC79-2
Подробнее
Артикул: BC858B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: BSZ096N10LS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON, N-Channel 100 V 40A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Подробнее
Артикул: IRFU4620PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 24A IPAK, N-Channel 200 V 24A (Tc) 144W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IRLR8729TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 58A DPAK, N-Channel 30 V 58A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее