г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IKW40N65ET7XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IKW40N65ET7XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IKW40N65ET7XKSA1, IGBT Trench Field Stop 650 V 76 A 230.8 W Through Hole PG-TO247-3
Цена
732 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IKW40N65ET7XKSA1.jpg
Power - Max
230.8 W
Input Type
Standard
Reverse Recovery Time (trr)
85 ns
Current - Collector (Ic) (Max)
76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
IGBT Type
Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.65V @ 15V, 40A
Switching Energy
1.05mJ (on), 590µJ (off)
Gate Charge
235 nC
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Package / Case
TO-247-3
Standard Package
30
Series
Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Base Product Number
IKW40N65
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP005403468,448-IKW40N65ET7XKSA1
Td (on/off) @ 25°C
20ns/310ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FF600R12ME4CBOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 1060A 4050W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 1060 A 4050 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: AUIRLR2905
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRF3707Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 59A TO220AB, N-Channel 30 V 59A (Tc) 57W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BCR583E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: AUIRF2907Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB, N-Channel 75 V 75A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: TD180N16KOFHPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: THYRISTOR MODULE 1600V 180A, SCR Module 1.6 kV 285 A Series Connection - SCR/Diode Surface Mount Module
Подробнее