г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IKW50N65F5FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IKW50N65F5FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3, IGBT - 650 V 80 A 305 W Through Hole PG-TO247-3
Цена
799 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IKW50N65F5FKSA1.jpg
Other Names
SP000973420,448-IKW50N65F5,IKW50N65F5,448-IKW50N65F5-ND
Test Condition
400V, 25A, 12Ohm, 15V
Power - Max
305 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
IGBT Type
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Switching Energy
490µJ (on), 160µJ (off)
Gate Charge
120 nC
Td (on/off) @ 25°C
21ns/175ns
Base Product Number
IKW50N65
Mounting Type
Through Hole
Series
TrenchStop®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
30
Reverse Recovery Time (trr)
52 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLB8743PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB, N-Channel 30 V 78A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BAS21UE6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: HIGH SPEED SWITCHING DIODE, Diode Array 3 Independent Standard 200 V 250mA (DC) Surface Mount SC-74, SOT-457
Подробнее
Артикул: IRFS4610PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK, N-Channel 100 V 73A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BAR151E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 100V 250MW SOT23-3, RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 100V 140 mA 250 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: SPP11N80C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SPP11N80 - COOLMOS N-CHANNEL POW, N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRF9Z34NSTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK, P-Channel 55 V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее