г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IMZA65R027M1HXKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH, - 59A (Tc) -
Цена
4 954 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IMZA65R027M1HXKSA1.jpg
Technology
-
FET Type
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max)
-
FET Feature
-
Operating Temperature
-
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Base Product Number
IMZA65
Series
-
Package
Tube
Part Status
Active
Other Names
448-IMZA65R027M1HXKSA1,SP005398432,IMZA65R027M1H
Standard Package
30
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Power Dissipation (Max)
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FF300R12KT4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 450A 1600W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 450 A 1600 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IHW20N120R3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 40A 310W TO247-3, IGBT Trench 1200 V 40 A 310 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRL3705NS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK, N-Channel 55 V 89A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRG7PH42UD-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 85A 320W TO247AD, IGBT Trench 1200 V 85 A 320 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: AUIRFS4010-7P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK, N-Channel 100 V 190A (Tc) 380W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: FP75R12KT3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 105A 355W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 105 A 355 W Chassis Mount Module
Подробнее