г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPA50R500CE Infineon Technologies

Артикул
IPA50R500CE
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO220-FP, N-Channel 500 V 7.6A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Цена
72 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPA50R500CE.jpg
Power Dissipation (Max)
28W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 2.3A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
433 pF @ 100 V
FET Feature
Super Junction
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Other Names
IPA50R500CEXKSA1,IFEINFIPA50R500CE,SP000939320,2156-IPA50R500CE,IPA50R500CEIN
Mounting Type
Through Hole
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package
PG-TO220-3-31
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
50
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR191
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRFI530NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP, N-Channel 100 V 12A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: IRAMX16UP60B-2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR HYBRID 600V 16A SIP2, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 16 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRFZ44ZS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK, N-Channel 55 V 51A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRLR8729PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK, N-Channel 30 V 58A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: AUIRLR120N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK, N-Channel 100 V 10A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Подробнее