г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPA60R800CEXKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPA60R800CEXKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V 5.6A TO220-FP, N-Channel 600 V 5.6A (Tc) 27W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPA60R800CEXKSA1.jpg
Power Dissipation (Max)
27W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 170µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
373 pF @ 100 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Other Names
2156-IPA60R800CEXKSA1-IT,INFINFIPA60R800CEXKSA1,SP001276046
Mounting Type
Through Hole
Series
CoolMOS™ CE
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package
PG-TO220-FP
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
500
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF6218PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRF6218 - 20V-250V P-CHANNEL POW, P-Channel 150 V 27A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF530NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB, N-Channel 100 V 17A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPW60R060C7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: HIGH POWER_NEW, N-Channel 600 V 35A (Tc) 162W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRL6372PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.1A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: FZ600R17KE4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1700V 1200A 3350W, IGBT Module Trench Field Stop Single 1700 V 1200 A 3350 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: MMBTA92LT1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PNP 300V 0.5A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 500 mA 50MHz 360 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее