г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPA80R360P7XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPA80R360P7XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220, N-Channel 800 V 13A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Цена
541 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPA80R360P7XKSA1.jpg
Other Names
SP001633514
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
30W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 280µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
930 pF @ 500 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IPA80R360
Mounting Type
Through Hole
Series
CoolMOS™ P7
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package
PG-TO220-FP
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
50
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSZ215CHXTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON, Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 5.1A, 3.2A 2.5W Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: IRF450
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 12A TO204AA, N-Channel 500 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-204AA (TO-3)
Подробнее
Артикул: SDT05S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 5A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: BAR6405E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3, RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 150V 100 mA 250 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRGB30B60K
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 78A 370W TO220AB, IGBT NPT 600 V 78 A 370 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSP300H6327XUSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4, N-Channel 800 V 190mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее