г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPA95R450P7XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPA95R450P7XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 950V 14A TO220, N-Channel 950 V 14A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Цена
601 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPA95R450P7XKSA1.jpg
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package
PG-TO220-FP
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
950 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 360µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1053 pF @ 400 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
CoolMOS™ P7
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001792306
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IPA95R450
Power Dissipation (Max)
30W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFB3006PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB, N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FP25R12W2T4BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 39A 175W, IGBT Module - Three Phase Inverter 1200 V 39 A 175 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IPB014N06NATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7, N-Channel 60 V 34A (Ta), 180A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Подробнее
Артикул: IRAM256-1067A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HYBRID 600V 8A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: BCR166
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: BF 2040 E6814
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF N-CHANNEL MOSFET, RF Mosfet
Подробнее