г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPB072N15N3GATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3, N-Channel 150 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Цена
1 188 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPB072N15N3GATMA1.jpg
Other Names
IPB072N15N3G,IPB072N15N3GATMA1TR,IPB072N15N3 GTR-ND,IPB072N15N3 GCT-ND,IPB072N15N3GATMA1DKR,SP000386664,IPB072N15N3 G-ND,IPB072N15N3GATMA1CT,IPB072N15N3 G,IPB072N15N3 GCT,IPB072N15N3 GDKR-ND,IPB072N15N3 GDKR,2156-IPB072N15N3GATMA1,INFINFIPB072N15N3GATMA1
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5470 pF @ 75 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Base Product Number
IPB072
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
1,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BDP954H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PNP 100V 3A SOT223, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 100MHz 5 W Surface Mount PG-SOT223-4-10
Подробнее
Артикул: BSZ440N10NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON, N-Channel 100 V 5.3A (Ta), 18A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: IRF7341PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 4.7A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IPW60R190E6FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3, N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: FF23MR12W1M1PB11BPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER EASY, IGBT Module Trench 2 Independent 1200 V 50 A 0.2 W Chassis Mount AG-EASY1BM-2
Подробнее
Артикул: IRFB4410
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 96A TO220AB, N-Channel 100 V 96A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее