г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPB072N15N3GATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3, N-Channel 150 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Цена
1 188 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPB072N15N3GATMA1.jpg
Other Names
IPB072N15N3G,IPB072N15N3GATMA1TR,IPB072N15N3 GTR-ND,IPB072N15N3 GCT-ND,IPB072N15N3GATMA1DKR,SP000386664,IPB072N15N3 G-ND,IPB072N15N3GATMA1CT,IPB072N15N3 G,IPB072N15N3 GCT,IPB072N15N3 GDKR-ND,IPB072N15N3 GDKR,2156-IPB072N15N3GATMA1,INFINFIPB072N15N3GATMA1
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5470 pF @ 75 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Base Product Number
IPB072
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
1,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFB4620PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB, N-Channel 200 V 25A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BAT15-099R
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MIXER DIODE, LOW BARRIER, X BAND, RF Diode
Подробнее
Артикул: HFA15TB60PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC, Diode Standard 600 V 15A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: IKW25N120T2FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3, IGBT Trench 1200 V 50 A 349 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IPD50R500CEAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 550V 7.6A TO252, N-Channel 550 V 7.6A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IPD160N04LG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее