г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPD65R600E6 Infineon Technologies

Артикул
IPD65R600E6
Бренд
Infineon Technologies
Описание
COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET, Mosfet Array
Цена
114 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IPD65R600E6.jpg
Standard Package
2,500
Other Names
2156-IPD65R600E6,IFEINFIPD65R600E6
ECCN
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
REACH Status
REACH Affected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPB160N04S4H1ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7, N-Channel 40 V 160A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Подробнее
Артикул: BBY57-02V
Бренд: Infineon Technologies
Описание: VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Varactors
Подробнее
Артикул: IGW15T120
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGW15T120 - DISCRETE IGBT WITHOU, IGBT
Подробнее
Артикул: IRF9333TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO, P-Channel 30 V 9.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IPN60R3K4CEATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223, N-Channel 600 V 2.6A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
Подробнее
Артикул: IRGIB10B60KD1P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 16A 44W TO220FP, IGBT NPT 600 V 16 A 44 W Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее