г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPD65R600E6 Infineon Technologies

Артикул
IPD65R600E6
Бренд
Infineon Technologies
Описание
COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET, Mosfet Array
Цена
114 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IPD65R600E6.jpg
Standard Package
2,500
Other Names
2156-IPD65R600E6,IFEINFIPD65R600E6
ECCN
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
REACH Status
REACH Affected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSD316SNH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6, N-Channel 30 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: IRFML8244TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23, N-Channel 25 V 5.8A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23
Подробнее
Артикул: AUIRFS8409
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK, N-Channel 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IRG4PC50UD-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 55A 200W TO247-3, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: SPP80N06S209
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IHW30N120R5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: HOME APPLIANCES 14, IGBT Trench Field Stop 1200 V 60 A 330 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее