г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPD65R600E6 Infineon Technologies

Артикул
IPD65R600E6
Бренд
Infineon Technologies
Описание
COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET, Mosfet Array
Цена
114 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IPD65R600E6.jpg
Standard Package
2,500
Other Names
2156-IPD65R600E6,IFEINFIPD65R600E6
ECCN
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
REACH Status
REACH Affected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IKW25T120
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW25T120 - DISCRETE IGBT WITH A, IGBT
Подробнее
Артикул: IRLR3103TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK, N-Channel 30 V 55A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRFS4310ZTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, N-Channel 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BF999E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23, RF Mosfet N-Channel 10 V 10 mA 45MHz 27dB - PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IKW15N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 30 A 217 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BSD214SNH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6, N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее